近几年来第三代半导体适配逐渐开始普及，作为第三代材料，其自然有着前两代无可比拟的优势。按照半导体材料对半导体分类的话，第一代包括锗和硅，应用领域在资讯产业以及微电子产业。这两者成本相对便宜，技术最为成熟，是目前最大的半导体材料；第二代包括砷化镓和磷化铟，主要应用在照明产业以及通讯产业；而第三代半导体适配则以碳化硅和氮化镓为代表，可应用在更高阶的高频通讯元件以及高压功率元件领域。

对比来看，虽然第一代的硅材料无论是在原料上取得还是制程技术上都相对成熟，但其在高频高压的应用领域上的效能还是远不如碳化硅或氮化镓产品。第一代的硅材料优势随着5G等应用领域扩大不断受到压抑，第三代半导体适配材料成为主流将会是未来的趋势，使业者不得不关注并切入此领域。

碳化硅以及氮化镓虽然同为第三代半导体适配材料，但应用略有不同，由于氮化镓主要用在中压领域大约600伏特的产品中，所以一部分会与硅材料的市场重叠，但不同的是氮化镓有很好的移动性，所以它适用在频率高的产品，这种特性在基地台、5G等高速产品就会很有优势；而碳化硅则具有很好的耐高温、高压特性，可以用在上千伏更高压的产品上。

第三代半导体适配材料及相关器件芯片广泛应用于新一代移动通信、新能源汽车、消费类电子、轨道交通、智能电网、等领域，具有禁带宽、介电常数小、击穿电场强度高、热导率大、饱和电子迁移率高、抗辐射能力强等优点，被视为支撑能源、信息、交通、国防等产业发展的核心技术，已成为全球各国半导体行业的重点研究方向。