近年来第三代半导体材料（包括SiC以及GaN）倍受市场关注，以台积电为代表的半导体业厂商也开始切入此领域。此类第三代半导体材料具有更高效节能、更高功率等优势，更适用在超高压产品、5G通讯等领域，可以预计第三代半导体适配的未来市场将一片大好。

2018年，全球第三代半导体材料市场规模为4.19亿美元，约合28.7亿人民币，同比增长42.6%。其中得益于5G、新能源汽车、绿色照明等新兴行业的蓬勃发展和政策大力扶持的双重驱动，我国第三代半导体适配市场总体规模已达5.97亿元人民币，占全球的20.8%，同比增长率47.3%，预计2021年将达到11.9亿元。

但事实上，碳化硅以及氮化镓产品在市场上已久，但由于技术上进入门槛相当高，一直未可大量量产。以碳化硅来说，技术难度在于：

1. 在长晶的源头晶种来源就要求相当高的纯度、取得困难

2. 长晶的时间相当长，以一般硅材料长晶来说，平均约3-4天即可长成一根晶棒，但碳化硅晶棒则约需要7天，由于长晶过程中要随着监测温度以及制程的稳定，以免良率不佳，故时间拉长更增添长晶制作过程中的难度；

3. 长晶棒的生成，一般的硅晶棒约可有200公分的长度，但长一根碳化硅的长晶棒只能长出2公分，造成量产的困难。

但是与此同时，也正因为第三代半导体适配市场越来越被看好，加上当今世界科学技术的不断发展，紧随这个契机，已经有不少厂商开始投入研发，相信在这样的形势之下第三代半导体适配只会越走越远！