大尺寸和高质量SiC生长技术是第三代半导体适配材料未来发展的技术趋势，坚持同质外延将依旧是GaN器件的技术改进方向，所以高质量GaN衬底的技术研发仍将继续。

激光器和探测器、半导体照明、新能源汽车、军事领域以及5G及代表的新兴领域将成为未来第三代半导体适配材料主要的应用领域，应用趋势明显加强。

在价格和成本趋势方面，未来6英寸SiC衬底预计将降至5000元/片以下、GaN衬底价格有望降至500美元/片左右，随着第三代半导体适配材料衬底和外延片尺寸的增加和生产规模的扩大，外延片和衬底的成本必将有所下降，毛利率会更高。

目前，第三代半导体适配材料中硅是半导体器件的主流，碳化硅和氮化镓是补充方案，在硅器件达不到目标性能和指标时，碳化硅和氮化镓就可以发挥作用，例如SiC材料应用在高铁领域，可节能20%以上，并减小电力系统体积；应用在新能源汽车领域，可降低能耗20%；应用在风力发电领域，可提高效率20%；应用在太阳能领域，可降低光电转换损失25%以上；应用在超高压直流输送电和智能电网领域，可使电力损失降低60%，同时供电效率提高40%以上等。氮化镓则定位中央的低压产品，加上氮化镓能够在高频下无损耗地进行开关特性更好的适用于高频LED和电源类产品。未来很长一段时间内硅、碳化硅和GaN的市场将同时发展。