碳化硅材料和氮化镓产品等第三代半导体材料在市场上备受关注。 半导体运营商封装制造商也开始进入该领域。 随着这种第三代半导体适配材料具有更节能、高功率等优势，应用于5G通信、电动汽车等高压产品领域，有望实现未来市场的增长，但事实上，碳化硅和氮化镓产品已经面市，但将大量生产技术上准入门槛相当高，市场商机是否全部沾在雨露上可能还在考验之中，那么，下面一起了解下第三代半导体适配的应用吧!　　

　　第三代半导体适配材料市场潜力可期

　　根据半导体材料分类，一代半导体材料含有锗和硅，也是目前大宗半导体材料，成本相对低廉，工艺技术较为成熟，应用领域在信息产业和微电子产业; 二代半导体材料包括砷化镓和铟磷，主要应用于通信产业和照明产业的第三代半导体适配以碳化硅和氮化镓为代表，可应用于更高阶的高压功率元件和高频通信元件领域。

　　碳化硅和氮化镓是同一第三代半导体适配材料，但应用略有不同。 氮化镓主要用于中压领域约600伏的产品，部分与硅材料市场重叠，但氮化镓移动性好，适合高频产品，该特性在基站、5G等高速产品中有利。 碳化硅可以在电动汽车用、高铁用、工业用等更高压下使用，耐高温性和高压特性优异。

　　挑战是批量生产难度大

　　由于第三代半导体适配材料在市场上很受欢迎，很多制造商很早就开始致力于研发，有望成为新一代的有前途的股票。 但就业人士表示，生产一片碳化硅晶片并不容易。 困难的是从1张到100张、1000张的批量生产能力。 

　　就碳化硅而言，技术上的困难在于：作为结晶生长源的晶种源要求相当高的纯度，难以获得;结晶生长时间相当长，就一般的硅材料的结晶生长而言，平均约3-4天就可以生长成1根结晶棒，但用碳化硅结晶棒在晶体生长过程中，随着温度的监测和工艺的稳定，为了避免不良率恶化，延长了时间，增加了晶体生长过程中的难度，晶体生长棒的生成。 

　　一代硅材料原料易得，工艺技术比较成熟，但在高频高压应用领域不如碳化硅和氮化镓产品。 随着5G等应用领域的不断扩大，一代硅材料的优势受到抑制，但第三代半导体适配材料的发展成为趋势，商家须关注并切入这一领域。

　　以上介绍的就是第三代半导体适配的应用，如需了解更多，可随时联系我们!