根据材料出现、商业化开始的时间，可以将半导体材料分为三代。 下面一起了解下第三代半导体适配材料的特性和用途吧。　

　　一代半导体材料：

　　代表：锗(Ge )和硅(Si )。

　　商业化时间： 1940、50年代

　　锗是商业化应用的半导体材料，甚至人类一个集成电路也是基尔比在锗芯片上制作的。 但此后，硅材料以更高的丰度、易纯化性、更高的耐热性、更宽的工作温度在大部分领域取代锗获得了成功，并脱颖而出。

　　与后来出现的二代和第三代半导体适配材料相比，硅的制造成本更低，电子器件集成度更高，仍然是大规模集成电路的选择，在逻辑和存储领域的霸权依然不可动摇。

　　二代半导体材料：

　　代表：砷化镓(GaAs )、磷化铟(InP )。

　　商业化时间： 20世纪90年代或之前

　　砷化镓在二代半导体中广泛使用。 由于与硅相比载流子迁移率高、寄生电容小，砷化镓器件比硅器件快2~3倍，同时能够响应高频微波信号，因此常用于高速计算机、高频控制电路、高频通信器件。 另外，为了天然的辐射增强性，砷化镓在宇宙飞行领域也有很多应用。

　　但是，在很多领域不需要那么高的信号传输速度，加工成本也高，所以被使用得比硅广泛得多。

　　第三代半导体材料

　　代表：碳化硅(SiC )、氮化镓(GaN )。

　　商业化时间： 21世纪初

　　由于第三代半导体适配材料通常比硅速度更快，同时能够承受更高的电压，因此目前多用于通信领域(特别是5G通信领域)和电力转换领域(例如新能源车的电力驱动模块)。

　　各种特性意味着碳化硅特别适合于制造耐受高温、高压、大电流的高频、大功率的器件。

　　第三代半导体适配目前已知的碳化硅有约200种晶体结构形态，包括立方紧密排列的闪锌矿晶体结构(2H、4H、6H、15R )和六边紧密排列的纤锌矿晶体结构(3C-SiC )等，其中晶体结构) 3C-SiC 例如在氮化镓外延层生长、碳化硅系氮化镓微波RF的制造中使用的晶型4H可以用于大功率器件的制造; 6H稳定，可用于光电元件的制作。

　　以上介绍的就是第三代半导体适配材料的特性和用途，如需了解更多，可随时联系我们!