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在巨大的优势和广阔的前景的刺激下，世界各国都在增加第三代半导体适配领域的实力。但是，中国宽带隙半导体产业化的进展相对较慢，宽带隙半导体技术迫切需要突破。
“最大的瓶颈是原材料。”中国科学院半导体研究所研究员，中国电子学会半导体与集成技术分会秘书长王小亮认为，中国原材料的质量和制备有待解决。此外，湖南大学应用物理系副教授曾建平也表示，目前，我国SiC晶圆的制备仍空缺，大部分设备是从国外进口的。
“国内对SiC，GaN材料和器件的研究工作相对较晚，与国外相比水平还相对较低。阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始的创新问题。” 美国国家半导体照明工程研发与产业联盟的一位专家表示，国内大多数科研机构及相关生产企业在新材料领域都取得了快速的成功，很难忍受长期的“只投入，不产出”的局面现状。因此，以第三代半导体适配材料为代表的新材料的原始创新是困难的。
原始创新是从头开始的创新过程，其特点是投资大，周期长。以SiC为例，它具有宽带隙，高击穿电场，高导热率，高电子饱和率和较高的抗辐射性。非常适合高温，高频，抗辐射和大功率设备。但是，很难生长SiC晶体。 尽管经过数十年的研发，只有美国的Cree，德国的SiCrystal和日本的新日铁等少数公司已经掌握了SiC的生长技术，它可以生产出更好的产品，但与真正的SiC仍然相距甚远。因此，以第三代半导体适配材料为代表的新材料的原始创新是困难的，并且是工业化的主要障碍。
“第三代半导体适配将对我国的未来产业产生重大影响。对其应用技术的研究更为关键。如果相关的支持技术和产品跟不上，第三代半导体适配材料和器件的作用和效率将越来越高。可能起到不好的作用，因此有必要协调整个产业链的发展。”中兴通讯副总裁严文德说。
这既是机遇，也是挑战。未来，中国第三代半导体适配产业将面临许多困难。 正如北京大学宽带隙半导体研究与发展中心的沉波教授所说，中国第三代半导体发展所面临的机遇是非常好的，因为在过去的十年中，在半导体照明的推动下，氮化镓在这两个领域都已经成熟。材料和器件程度已经大大提高，但是第三代半导体在电力电子器件和射频器件中还有很长的路要走。市场和产业才刚刚起步，我们仍然面临巨大挑战，必须共同努力。
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