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第三代半导体适配的材料特点和应用

第三代半导体适配的材料特点和应用

  • 分类:新闻资讯
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  • 来源:
  • 发布时间:2020-05-26
  • 访问量:394

【概要描述】第三代半导体适配的材料特点和应用

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第三代半导体适配的材料特性
 
  与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的带隙,更高的击穿电场,更高的热导率,更高的电子饱和率和更高的抗辐射性,这更适合于制造更高的材料。温度,高频,抗辐射和大功率设备。它通常也被称为宽带隙半导体材料(带隙宽度大于2.2eV),也被称为高温半导体材料。从当前对第三代半导体材料和器件的研究来看,较为成熟的是SiC和GaN半导体材料,而对氧化锌,金刚石,氮化铝等材料的研究仍处于起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)-也被称为第三代半导体材料。
第三代半导体适配
第三代半导体适配材料的性能与应用
 
  迄今为止,半导体工业的发展经历了三个阶段。 第一代半导体材料以硅(Si)为代表。第二代半导体材料砷化镓(GaAs)也已被广泛使用。以宽带隙为代表的第三代半导体材料,例如氮化镓(GaN),碳化硅(SiC)和氧化锌(ZnO),具有比前两代显着的性能优势,并受到业界的广泛好评。第三代半导体适配具有高击穿电场,高饱和电子速度,高导热率,高电子密度,高迁移率等特性,因此也被称为固态光源,功率的“核心”。电子,微波射频设备以及光电子和微电子等行业的“新引擎”。发达的宽禁带半导体主要是SiC和GaN,而SiC的开发较早。
 
  在应用方面,根据第三代半导体适配的发展,其主要应用是半导体照明,电力电子设备,激光器和检测器以及其他四个领域,每个领域都有不同的行业成熟度,在前沿研究领域,宽带隙半导体仍处于实验室的研发阶段。
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