第三代半导体产业技术创新战略联盟（以下简称“联盟”）在发布的《2020年第三代半导体产业发展报告》（以下简称“报告”）中表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体在新能源汽车、5G、光伏发电、快充等领域不断取得突破，2020年全球第三代半导体市场将保持整体增长态势。

 　　第一代半导体主要由硅制成，广泛应用于手机、电脑等领域。比如电脑和手机的处理器都采用这种硅基半导体技术。第二代半导体以砷化镓和锑化铟为代表，主要用于卫星通信、移动通信、导航等领域。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅为代表的化合物半导体，主要应用于光电、电力电子、微波射频等领域，如手机快充、新能源汽车、轨道交通、5G基站、航空航天等。

 　　在接受记者采访时，目前在布局第三代半导体，已经推出碳化硅二极管样品。目前采用IDM模式，意味着覆盖了半导体产业链中的设计、制造、封装、测试等多个环节。

 　　上述人士进一步介绍，与前两代相比，第三代半导体的主要特点是带隙宽、性价比高。宽带隙是指产品具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度和高功率容限的特点。所以第三半导体的范围和场景更好。

 　　第三代半导体可用于手机、汽车、基站等。国内化合物半导体制造商，涉及半导体衬底和外延的生产，主要生产6英寸产品。很多还在研发中，有些产品已经上市。

 　　根据2020年的报告，电力电子器件又称功率器件，主要应用于变流、功率放大、功率管理、变频、变压等领域，包括汽车电子、消费电子、计算机、工业控制、网络通信等。几乎应用于所有电子制造行业。

 　　目前，第三代半导体功率器件的发展方向主要包括碳化硅和氮化镓。碳化硅、氮化镓等第三代半导体因其高带隙和击穿电压，在功率半导体领域具有巨大的应用潜力。碳化硅具有更高的热导率和更成熟的技术，而氮化镓具有电子迁移率高、饱和电子率高和成本较低的优点。它们的不同优势决定了适用范围的不同。