第三代半导体适配
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第一代半导体材料是元素半导体的世界，第二、三代半导体材料成为化合物的世界，其中经历了什么故事？ 中国准备用第三半导体材料超越曲线吗？第一代半导体材料是元素半导体的世界，第二、三代半导体材料成为化合物的世界，其中经历了什么故事？ 中国准备用第三半导体材料超越曲线吗？ 今天我们来谈谈半导体材料，从第一、第二代开始走，第三代半导体材料将讲述怎样的未来。
第一代半导体材料
20世纪50年代，锗(Ge )站在光的舞台上，被应用于低压、低频、中功率晶体管和光电检测器，而锗半导体器件在高温和耐辐射性方面存在很大的短板，因此在60年代把主导地位让位给了硅。含量丰富，绝缘好，提纯结晶简单，硅是迄今应用最多的半导体材料之一，主要应用于数据运算等领域。
第二代半导体材料
随着科学技术的需求越来越大，硅的输送速度慢，功能单一不足暴露出来，化合物半导体材料应运而生。 20世纪90年代，随着移动通信、光纤通信的顺风风车，出现了以砷化镓(GaAs )、磷酸铟(InP )为代表的第二代半导体材料，其中砷化镓技术最成熟。 适于制造高速、高频、大功率和发光电子器件，并且主要应用于通信领域，例如卫星通信、移动通信、光通信、GPS导航等。
第三代半导体适配材料
但是，随着半导体器件的应用领域的扩大，特别是特殊情况下，半导体在高温、强辐射、大功率等环境下也要求牢固，第一、第二代半导体材料无力，第三代半导体适配材料——的宽带隙半导体材料(禁带宽度大于2.2ev ) 主要包括碳化硅(SiC )、氮化镓(GaN )、砷化镓(GaAS )、氧化锌(ZnO )、金刚石、氮化铝(AlN )，比较成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体适配材料的双雄，而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。
第三代半导体适配材料的兴起还有一个契机。半导体适配材料生产中的主要污染物为GaAs、Ga3、In3等，随着环保绿色概念的普及，寻找满足产品需求、不污染环境的新半导体材料，着眼于有机半导体(使有机材料，如c和n渗透到半导体材料中)，GaN、SiC成为新星。现在，以第三代半导体材料为基础的新兴技术迅速崛起，攻克第三代半导体材料技术的高地也越来越激烈。
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