第三代半导体适配又称为宽带隙半导体，带隙大于2.2eV，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点，越来越受到重视。

　　第三代半导体适配的性能优势?

　　宽带隙、高击穿电场强度、高包和电子迁移率、高热导率、低介电常数和强抗辐射。

　　总的来说，第三代半导体适配的性能优势是:耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性强、工作速度快、工作损耗低。

　　第三代半导体适配的主要用途是什么?

　　按材料分类，第三代半导体适配材料主要有四类，主要用途如下:

　　1.以氮化镓为代表的第三族氮化物在军事领域中用于雷达、电子对抗、导弹和无线通信。用于民用商业领域的基站、卫星通信、有线电视、手机充电器等小家电。

　　2.SiC、DC，电动汽车、消费电子、新能源、轨道交通等领域的交流输变电、温度检测与控制。

　　3.宽带隙氧化物，通常代表氧化锌ZnO，用于压力传感器、存储器件和柔性电子器件。目前技术和应用都不成熟，主要产品有发光二极管、激光器、纳米发电机、纳米线晶体管、紫外探测器等。

　　4.金刚石，大功率红外激光探测器，用于光电子、生物医学、航空航天、核能等领域。该技术和应用仍在开发中。