第三代半导体适配的高热导率和高带隙多用于光电器件，如激光器、探测器、发光二极管等。同时，高介电强度和高电场电子速度的特性多用于电子功率器件和微波射频器件，如毫米波放大器和高功率放大器。　　

　　第三代半导体适配作为一种宽带隙半导体材料，具有许多优异的物理特性。其体积小、开关频率高、工作电压高、高温稳定性高，是制造高压、高温、抗辐射功率半导体器件的优良半导体材料，也是综合性能好、产业化程度高、技术成熟的第三代半导体适配材料。

　　第三代半导体适配具有宽禁带，高导热耐高温在高温环境下稳定工作，减少了散热设备的面积。未来车企或许可以将两种水冷系统合二为一，甚至直接采用风冷系统，这将大大降低HEV驱动系统的成本，腾出更多的车身空间来装配更多的电子元器件。

　　在同等功率水平的情况下，第三代半导体适配利用器件可以使电驱动和电子控制的体积小型化，可以满足更高功率密度和更紧凑设计的要求，同时可以使电动汽车的续航里程更长。

　　第三代半导体适配材料适用于很多场景。其中，功率器件因其耐高压、耐高温、低能耗、小型化等特点，可广泛应用于电动/混合动力汽车、充电桩/充电站、高速轨道交通、光伏逆变器等领域。

　　功率器件以其高频、低损耗、低成本的特点，可广泛应用于智能终端快充、车规级充电场景。微波器件因其高频、高功率、效率高等特点，可广泛应用于宏基站、智能终端、军用雷达、卫星通信等领域。

　　近年来，随着技术的进步和下游市场的拉动，第三代半导体适配已初步具备产业化基础，价格已到了量产的“甜蜜点”。