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第三代半导体适配氮化镓是怎么样的?

第三代半导体适配氮化镓是怎么样的?

  • 分类:行业动态
  • 作者:
  • 来源:
  • 发布时间:2021-12-07
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【概要描述】第三代半导体适配主要包括三组化合物半导体材料,碳化硅和氧化物半导体材料,其中氮化镓和氮化铝是三组化合物半导体中常见的。氧化物半导体材料主要包括氧化锌、氧化镓和钙钛矿。第三代半导体适配具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和率和强抗辐射等优点,第三代半导体适配适合制作高电压、高频率、高抗电流的器件,还可以降低器件的功耗。

第三代半导体适配氮化镓是怎么样的?

【概要描述】第三代半导体适配主要包括三组化合物半导体材料,碳化硅和氧化物半导体材料,其中氮化镓和氮化铝是三组化合物半导体中常见的。氧化物半导体材料主要包括氧化锌、氧化镓和钙钛矿。第三代半导体适配具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和率和强抗辐射等优点,第三代半导体适配适合制作高电压、高频率、高抗电流的器件,还可以降低器件的功耗。

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  第三代半导体适配氮化镓是怎么样的?  


  目前,第三代半导体适配主要包括三组化合物半导体材料,碳化硅和氧化物半导体材料,其中氮化镓和氮化铝是三组化合物半导体中常见的。氧化物半导体材料主要包括氧化锌、氧化镓和钙钛矿。第三代半导体适配具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和率和强抗辐射等优点,第三代半导体适配适合制作高电压、高频率、高抗电流的器件,还可以降低器件的功耗。


  氮化镓具有宽禁带、高击穿电压、高热导率、饱和电子漂移速度快、抗辐射能力强等特点。是理论上电光和光电转换效率高的材料。


  氮化镓的外延生长基本化学原理是将蒸气Ga(CH)3和气态NH3引入反应室,在高温下发生一系列反应,在衬底表面形成氮化镓外延层:

       第三代半导体适配

  随着原料纯度和工艺的提高,这种方法逐渐成为以砷化镓和磷铟为代表的二代半导体材料和以氮化镓为代表的第三代半导体适配材料的主要生长工艺。


  优点是反应物以气体形式进入反应室,通过控制各种气体流量,可以控制外延材料的厚度、成分和载流子密度。其次,反应室内气体流动快,通过改变气体可以获得陡峭的异质结界面。所得杂质少,晶体质量高;第三代半导体适配设备相对简单,有利于大规模工业化生产。


  金属有机化学气相沉积在第三代半导体适配材料的制备中变得越来越重要。


  第三代半导体适配氮化镓需要两个化学反应:低温反应和高温反应。因此,反应器需要将反应室分为低温区和高温区。同时,在这个过程中,需要调整很多参数来实现氮化镓薄膜的可控和沉积。

 


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